简介:
本发明公开了一种高压制备磁致冷材料化合物及其制备方法。本发明的高压制备磁致冷材料化合物的化学组成式为La0.5Pr0.1Ca0.4(GaxInyMnz)O3。所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质,镓Ga和铟In为点缺陷控制的辅助掺杂离子,原料中选取一种或两种。Ca、La和Pr为基质组元离子。本发明主要采用原位高压烧结工艺法来调控化合物材料体系的点缺陷,控制晶体结构的键长和键角以及电子输运效应来提高其磁滞冷性能,获得较好使用性能,提高化合物的磁熵变值,同时钙钛矿结构有良好的材料稳定性、无毒副作用、成本低的特点。
本发明公开了一种高压制备磁致冷材料化合物及其制备方法。本发明的高压制备磁致冷材料化合物的化学组成式为La0.5Pr0.1Ca0.4(GaxInyMnz)O3。所述化合物以
锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质,镓Ga和铟In为点缺陷控制的辅助掺杂离子,原料中选取一种或两种。Ca、La和Pr为基质组元离子。本发明主要采用原位高压烧结工艺法来调控化合物材料体系的点缺陷,控制晶体结构的键长和键角以及电子输运效应来提高其磁滞冷性能,获得较好使用性能,提高化合物的磁熵变值,同时钙钛矿结构有良好的材料稳定性、无毒副作用、成本低的特点。