简介： 本发明涉及新型功能材料开发技术领域，具体涉及一种无铅压电陶瓷性能调控的方法，该方法在传统无铅压电陶瓷的基础上通过构筑高熵陶瓷并以其为主晶相，在其与第二相（或更多相）的准同型相界处，通过调整第二相（或更多相）含量对其综合性能进行优化。具体为：采用离子半径差优选高熵元素制备高熵陶瓷，第二相（或更多相）的含量可选取未高熵化无铅压电陶瓷与其准同型相界的±0.5处，经过球磨混合均匀后在1000^oC~1500^oC烧结范围内烧结2~6小时，获得综合性能优异的无铅压电陶瓷。本发明为无铅压电陶瓷提供了一种全新的性能调控方法，利用高熵陶瓷优异的介电性能，实现了高熵陶瓷在压电陶瓷领域中对其综合性能调控的应用。