简介： 本发明涉及含锗硅原料中锗硅分离技术领域，尤其是一种锗硅分离方法，通过含锗硅物料的球磨以及采用氢氧化钠溶液在一定的温度环境下以及对液固比进行限制，使得含锗硅物料中的锗和硅均被浸出，进而破坏二氧化硅晶格对锗的包裹，再通过电解法电解分离锗硅浸出液，进而使得锗硅的分离率达到90％以上。