高介单层微型陶瓷电容器基片材料及其制备方法
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高介单层微型陶瓷电容器基片材料及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明提供一种高介单层微型陶瓷电容器基片材料,原料包括主料和掺杂剂两部分,主料的化学成分为SrTiO3,掺杂剂为Nb2O5、SiO2、Y2O3、CaSnO3和复合氧化物添加剂,添加的质量分别为原料总质量的m?wt%、n?wt%、p?wt%、q?wt%和r?wt%,制备方法包括:配料、球磨、干燥、造粒、成型、排胶,还原气氛烧结,氧化热处理;本发明的配方中不含Pb、Cd等挥发性或重金属元素,是一种环保无污染的介质陶瓷材料;本陶瓷的烧结温度在1340℃~1400℃之间,介电常数较高,具有一定的节能优势;原材料在国内供应充足,且价格低廉,适合于制作现代通信技术中高性能通信元器件。
本发明提供一种高介单层微型陶瓷电容器基片材料,原料包括主料和掺杂剂两部分,主料的化学成分为SrTiO3,掺杂剂为Nb2O5、SiO2、Y2O3、CaSnO3和复合氧化物添加剂,添加的质量分别为原料总质量的m?wt%、n?wt%、p?wt%、q?wt%和r?wt%,制备方法包括:配料、球磨、干燥、造粒、成型、排胶,还原气氛烧结,氧化热处理;本发明的配方中不含Pb、Cd等挥发性或重金属元素,是一种环保无污染的介质陶瓷材料;本陶瓷的烧结温度在1340℃~1400℃之间,介电常数较高,具有一定的节能优势;原材料在国内供应充足,且价格低廉,适合于制作现代通信技术中高性能通信元器件。
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