简介:
本发明公开一种微电子芯片封装用热导材料一种微电子芯片封装用热导材料,其特征在于,包括H型氮化硼纳米片、二氧化钛、环氧树脂、异丙醇、乙烯基甲苯、甲基丙烯酸,该热导材料各组分的重量份数为:H型氮化硼纳米片43‑52重量份、二氧化钛43‑52份、环氧树脂2‑6重量份、异丙醇5‑10重量份、乙烯基甲苯3‑6重量份、甲基丙烯酸2‑5重量份;所述热导材料的制备方法为:步骤一、将H型氮化硼纳米片加入异丙醇中,经50‑90Hz超声20‑30min,得到白色溶液;步骤二、向白色溶液中加入二氧化钛,经40‑50℃球磨10‑20min;步骤三、随后加入环氧树脂、乙烯基甲苯、甲基丙烯酸,温度降至5‑10℃继续20‑30min球磨。本发明具有绝缘击穿电压高,电树枝化和电老化寿命延长的特点。
本发明公开一种微电子
芯片封装用热导材料一种微电子芯片封装用热导材料,其特征在于,包括H型氮化硼纳米片、二氧化钛、环氧树脂、异丙醇、乙烯基甲苯、甲基丙烯酸,该热导材料各组分的重量份数为:H型氮化硼纳米片43‑52重量份、二氧化钛43‑52份、环氧树脂2‑6重量份、异丙醇5‑10重量份、乙烯基甲苯3‑6重量份、甲基丙烯酸2‑5重量份;所述热导材料的制备方法为:步骤一、将H型氮化硼纳米片加入异丙醇中,经50‑90Hz超声20‑30min,得到白色溶液;步骤二、向白色溶液中加入二氧化钛,经40‑50℃球磨10‑20min;步骤三、随后加入环氧树脂、乙烯基甲苯、甲基丙烯酸,温度降至5‑10℃继续20‑30min球磨。本发明具有绝缘击穿电压高,电树枝化和电老化寿命延长的特点。