简介： 本发明公开了一种快速制备半导体材料三维亚微米级花状结构氮化铝的方法,采用商用铝粉作铝源、氮化铝粉作稀释剂、氯化铵作催化剂,将原料球磨活化后在较低氮气气氛下进行燃烧合成,制备出的白色亚微米级花状结构氮化铝粉末。本发明首次利用燃烧合成法合成出形貌可控的氮化铝亚微米花,该方法工艺简单、重复性好、时间短、成本低、对环境没有污染。本发明制备的氮化铝亚微米花状结构材料在发光二极管,激光器,微/纳电子器件等方面具有广泛有前景。