简介:
本发明公开了一种高强高韧石墨烯增强铜基复合材料及其珍珠层仿生制备方法,首先通过雾化制粉制备溶质原子过饱和的Cu‑Cr合金粉末,在通过时效处理析出纳米Cr相,在进行球磨得到片状粉末,再利用电化学脱合金法将片状粉末中的Cu元素选择性溶解,在粉末表面构造出Cr相凸起;再通过料浆法将PVA吸附到片状粉末表面,形成PVA改性的Cu‑Cr片状粉末,经过酒精中的自由飘落形成粉末的有序堆积,在通过SPS烧结致密化制备块体材料,采用形变热处理的方式使片状粉末表面纳米相Cr彼此接触并扩散桥连成为珍珠层矿物桥仿生结构,得到石墨烯/Cu‑Cr基复合材料。本发明通过珍珠层“砖‑泥‑桥”结构的仿生,提高了铜基复合材料的强度和韧性,并获得了良好导电性能和摩擦学性能。
本发明公开了一种高强高韧
石墨烯增强
铜基
复合材料及其珍珠层仿生制备方法,首先通过雾化制粉制备溶质原子过饱和的Cu‑Cr合金粉末,在通过时效处理析出纳米Cr相,在进行球磨得到片状粉末,再利用
电化学脱合金法将片状粉末中的Cu元素选择性溶解,在粉末表面构造出Cr相凸起;再通过料浆法将PVA吸附到片状粉末表面,形成PVA改性的Cu‑Cr片状粉末,经过酒精中的自由飘落形成粉末的有序堆积,在通过SPS烧结致密化制备块体材料,采用形变热处理的方式使片状粉末表面纳米相Cr彼此接触并扩散桥连成为珍珠层矿物桥仿生结构,得到石墨烯/Cu‑Cr基复合材料。本发明通过珍珠层“砖‑泥‑桥”结构的仿生,提高了铜基复合材料的强度和韧性,并获得了良好导电性能和摩擦学性能。