镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法
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镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法
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简介: 一种镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法,该方法包括:一、靶材的制备,即首先把分析纯的Ni2O3、La2O3氧化物粉末以1∶1的比例混合,进行预烧,预烧后之后进行球磨,然后压成直径50mm,厚度4mm的圆片,最后在1050~1150℃度高温中烧结成陶瓷靶;二、薄膜材料的制备,即采用射频磁控溅射法,调整好溅射机的各项参数,衬底原位加热到一定温度后,溅射沉积所需厚度的薄膜。本发明的方法制得的薄膜具有高度的择优取向和良好的导电性,表面致密平整,在室温下的电阻率约为1mΩcm。这种薄膜可以用作制备高质量钙钛矿结构铁电薄膜材料的缓冲层,或者可作为铁电薄膜器件的底电极。
一种酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法,该方法包括:一、靶材的制备,即首先把分析纯的Ni2O3、La2O3氧化物粉末以1∶1的比例混合,进行预烧,预烧后之后进行球磨,然后压成直径50mm,厚度4mm的圆片,最后在1050~1150℃度高温中烧结成陶瓷靶;二、薄膜材料的制备,即采用射频磁控溅射法,调整好溅射机的各项参数,衬底原位加热到一定温度后,溅射沉积所需厚度的薄膜。本发明的方法制得的薄膜具有高度的择优取向和良好的导电性,表面致密平整,在室温下的电阻率约为1mΩcm。这种薄膜可以用作制备高质量钙钛矿结构铁电薄膜材料的缓冲层,或者可作为铁电薄膜器件的底电极。
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