简介： 本发明提供了一种二维易调控Ba_0.65K_0.35BiO₃薄膜的制备方法，包括：A)将钡源、钾源和铋源按比例混合球磨，预烧结、挤压成形、坯体烧结得到Ba_0.65K_0.35BiO₃靶材；B)Ba_0.65K_0.35BiO₃靶材通过脉冲激光沉积在单晶衬底上生长Ba_0.65K_0.35BiO₃薄膜。本发明所述Ba_0.65K_0.35BiO₃靶材呈单一结构相，表面平整，均匀性好，相对致密度为90.94％，大于90％，与脉冲激光沉积仪贴合率达到99％。然后通过脉冲激光沉积在单晶衬底上生长出二维易调控Ba_0.65K_0.35BiO₃薄膜。所述Ba_0.65K_0.35BiO₃薄膜呈立方钙钛矿结构，表面平整，稳定性好，结晶性很好，生长周期短，在高温超导领域具有很大的应用潜力。本发明制备方法简单，参数可控，重复性高。