简介： 该发明公开了一种通过填充Ga替换Sb提高CoSb₃基方钴矿材料热电性能的方法，属于热电材料领域及其制备邻域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb₃基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb₃基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产。