简介： 该发明公开了一种填充Ga的CoSb₃基方钴矿热电材料Ga_xCo₄Sb_12.3及其制备方法，属于热电材料领域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)形成填充方钴矿来提高CoSb₃基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb₃基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产。