简介： 本实用新型公开了一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置,所述装置包括:靶材,安装在增透膜层生长腔室的底部,并通过匹配箱与射频电源连接;样品托,安装在增透膜层生长腔室的顶部,所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘,所述样品槽外部设置有压片,所述压片中间设置有孔,孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致,且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。本实用新型通过上述装置对碲镉汞器件进行增透膜层生长,由于设置有压片,在需要保护的读出电路没有生长上增透膜层,保证了器件的电学连通,并且没有对探测器器件产生附加损伤,达到了良好的无损伤生长目的。