简介： 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种硅晶棒的处理方法及切片方法。本发明公开了硅晶棒的处理方法，包括：对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理，去除所述硅晶棒表面的氧化层；对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定，使用粒度为#200～#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理，形成槽区；使用粒度为#700～#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨；在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理，去除所述槽区内的表面损伤。本发明还公开了利用上述方法处理硅晶棒后，进行多线切割，形成硅片的切片方法。本发明的硅晶棒处理方法可以形成无损伤的开槽，降低裂片形成几率。