α-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法
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α-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: α-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法,属于半导体器件及其制备方法技术领域,包括呈交叉排列的一组栅极线和一组数据线、以及由所述栅极线和数据线所界定的呈阵列状排布的像素单元,所述像素单元包括一个薄膜晶体管器件和一个光电二极管器件,所述薄膜晶体管器件,包括相对形成沟道的源极和漏极,所述源极和漏极之间设置有α-IGZO薄膜岛,所述漏极与数据线连接。通过用α-IGZOTFT制成α-Si:HPIN传感器,应用于实时X射线医疗影像(荧光透视)系统和/或无损测试系统,进而改进系统性能。使用α-IGZOTFT后的迁移率要比目前商用非晶硅TFT的高出10~15倍,具有较低的截止电流,其信噪比也降低了约30%。大幅提高了实时医疗X射线影像品质。
α-IGZO薄膜传感阵列的影像传感器及其制备方法,属于半导体器件及其制备方法技术领域,包括呈交叉排列的一组栅极线和一组数据线、以及由所述栅极线和数据线所界定的呈阵列状排布的像素单元,所述像素单元包括一个薄膜晶体管器件和一个光电二极管器件,所述薄膜晶体管器件,包括相对形成沟道的源极和漏极,所述源极和漏极之间设置有α-IGZO薄膜岛,所述漏极与数据线连接。通过用α-IGZOTFT制成α-Si:HPIN传感器,应用于实时X射线医疗影像(荧光透视)系统和/或无损测试系统,进而改进系统性能。使用α-IGZOTFT后的迁移率要比目前商用非晶硅TFT的高出10~15倍,具有较低的截止电流,其信噪比也降低了约30%。大幅提高了实时医疗X射线影像品质。
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