简介： 本发明公开了一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器。该细胞传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SO1衬底上的通过FinFET制造工艺形成的Si纳米线、通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该细胞传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层。本发明的细胞传感器能够对活体细胞进行快速、准确、无损和高灵敏度的检测，而且该细胞传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。