金-氧化锌半导体复合结构的合成方法
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金-氧化锌半导体复合结构的合成方法
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简介: 金‑氧化锌半导体复合结构的合成方法。本发明涉及Au@ZnO纳米结构的制备。人们对分析检测手段提出了更高的要求。超灵敏的表面增强拉曼光谱(surface‑enhanced Raman spectroscopy,SERS)技术因其无损无污染的指纹特征信息而被认为是高效低廉、强有力的分析检测手段而广泛用于环境领域。贵金属虽然具有优异的SERS检测性能,但是其局限性无法避免。随着科技的进步,使得半导体材料的SERS效应的直接观测取得重大进展,半导体逐渐成为非常有前景的SERS基底材料。但是半导体材料却因为SERS效应微弱无法与金属相提并论,而两者的复合却产生了1+1大于2的效应,使得实用上SERS技术与生物化学传感、气体探测及光催化性能的协同应用成为现实。
金‑氧化半导体复合结构的合成方法。本发明涉及Au@ZnO纳米结构的制备。人们对分析检测手段提出了更高的要求。超灵敏的表面增强拉曼光谱(surface‑enhanced Raman spectroscopy,SERS)技术因其无损无污染的指纹特征信息而被认为是高效低廉、强有力的分析检测手段而广泛用于环境领域。贵金属虽然具有优异的SERS检测性能,但是其局限性无法避免。随着科技的进步,使得半导体材料的SERS效应的直接观测取得重大进展,半导体逐渐成为非常有前景的SERS基底材料。但是半导体材料却因为SERS效应微弱无法与金属相提并论,而两者的复合却产生了1+1大于2的效应,使得实用上SERS技术与生物化学传感、气体探测及光催化性能的协同应用成为现实。
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