简介： 本发明公开了一种基于MOSFET测量结温的方法及其装置，用于测量器件在规定环境温度下和规定工作条件下的结温，所述器件包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端和一第二输出端，方法包括如下步骤：获取初始电压；获取规定工作条件下第一输出端对第二输出端上消耗的功率；对第二输出端和第一输出端施加与上步相等的功率；获取终测电压；计算器件在所述规定环境温度下和所述规定工作条件下的结温。本发明的技术方案属于无损伤结温测试，可以有效的避免器件自身时间延时对测试准确度的影响，可测量器件任意工作环境下真实结温，实施方法简单、易行、适合工程应用并且对测试设备依赖程度较低。