简介： 本发明属于材料物理特性检测技术领域，涉及一种测量镶嵌薄膜杨氏模量的方法，包括下列步骤：(1)建立镶嵌薄膜及硅衬底的仿真模型；(2)确定镶嵌薄膜及硅衬底的参数；(3)确定镶嵌薄膜及硅衬底的边界条件；(3)利用有限元的方法绘制一系列镶嵌薄膜基体取不同杨氏模量时的理论频散曲线；(5)对待测样本的镶嵌薄膜的实际频散曲线进行测量；(6)将测量得到的待测样本的镶嵌薄膜的实际频散曲线与理论频散曲线进行匹配，得到镶嵌薄膜的杨氏模量。本发明能够无损、快速、准确的测量电介质材料的杨氏模量，解决了以前方法不能测量镶嵌结构薄膜中电介质杨氏模量的问题。