简介： 本发明涉及半导体制造技术领域。双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法，包括如下步骤：步骤一，在盒体内注入绝缘油；盒体内固定有底座，底座包括电极底座、下弹性层以及下金属片，下金属片设有下延伸条，下延伸条与电极底座接触连接，盒体的底部安装有金属触头，金属触头与电极底座接触电连接；金属触头与局部放电测试仪的负极端子电相连；步骤二，将双面覆铜陶瓷基板放置在底座上；步骤三，将盖板放置在双面覆铜陶瓷基板上；盖板包括从上至下设置的探针盖板、上弹性层以及上金属片，上金属片设有上延伸条，上延伸条与探针盖板接触连接；步骤四，局部放电测试仪的正极探针以及负极端子之间施加电压进行测试。简单易行、无损检测，普适性强。