简介： 本发明公开了一种半导体器件特性的测试分析方法，包括以下方法：X射线无损探伤分析，物理特性外部分析，耐腐蚀特性测试，声学扫描显微镜测试，先行偏振光检测方法。本发明所提供的一种半导体器件特性的测试分析方法，用严谨科学的试验方法和判定依据，对于半导体器件样品的品质给出了最有效的判定依据，通过一系列的方法逐次排查半导体器件样品的芯片尺寸、引线键合定位、BGA封装焊球、BGA封装盖帽等指标，测试方法科学，过程中不会产生有害物质。