简介： 一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法,该方法包括:(1)通过一套X-射线衍射装置,向硅晶样品表面发射X-射线,含有掺杂剂的硅晶样品表面在X-射线的轰击下包含掺杂剂元素在内的金属元素发生衍射光谱;(2)通过检测器接收衍射光谱;(3)通过特征光谱谱线位置来判定元素的种类。本发明的优点是:含有的掺杂元素直拉单晶硅材料时不需要特别制样,直拉单晶硅材料是不接触的,不会对直拉单晶硅材料造成沾污,几乎是无损伤的,只需要5-180秒即可显示检测结果,特别适合现场鉴别,同时,本发明提供的方法也可以测量硅晶材料中掺杂剂的含量。