简介： 本发明涉及微机电MEMS器件的微形貌测试,具体是一种基于红外白光干涉技术的微结构形貌测试方法,解决了现有测试技术无法对MEMS器件中深沟槽结构侧壁形貌进行测量的问题,以下列步骤实现:1)在待测侧壁表面进行阻止红外线透射的无损处理;2)以红外光源作为测量光源,红外光经透镜组调整为平行光束,经分光器件分成参考光束、检测光束,检测光束透射深沟槽结构的侧壁,经侧壁与无损处理的交界面反射后,与经参考镜面反射的参考光束相干迭加,形成干涉条纹图样;3)干涉条纹图样经光学透镜、CCD图像传感器传输至计算机,分析处理得所测侧壁的三维形貌图。本发明突破了现有测量技术无法实现深沟槽结构测量的缺点,应用领域广。