简介： 一种GaN热膨胀系数测量的Raman散射方法，包括以下步骤：1）对样品进行划片并取样，并清洗；2）对样品进行变温Raman测试；3）对测试结果进行线性拟合；提取线性拟合斜率和截距。根据提取的结果，结合Gruneisen参数???????????????????????????????????????????????的物理意义，实现对固体材料热膨胀行为的测试和表征；本发明采用了变温Raman散射技术，利用Raman散射获得Raman声子频移与温度之间的关系，能够准确地实现对GaN、AlN和InN及其他III族氮化物外延层薄膜二元及多元合金体系热膨胀行为进行无损检测和表征，避免了一般表征方法中对样品的破坏和较为复杂的公式推导和数学计算；由于对样品的形状和大小没有严格意义上的要求，可方便地对各类半导体类材料的热膨胀行为进行测试，方法简单，易于实现，误差小。