简介： 本实用新型提供了一种半导体外延片的击穿电压检测装置，属于半导体技术领域。本实用新型的击穿电压检测装置包括交流电源、滑移机构、转盘和探针，转盘与交流电源负极连接，探针与交流电源正极连接，交流电源正极与探针之间设有示波器，探针固定在滑移机构上；滑移机构包括滑移杆和滑移座，滑移杆底端卡接在滑移座的凹槽内，滑移杆能够沿滑移座凹槽移动，实现探针与P型层上表面在径向上接触；转盘底端通过转轴与固定座连接，转盘以转轴为圆心进行转动，实现探针与P型层上表面在周向上接触。本实用新型的检测装置能够快速、直接、无损地检测半导体外延片的击穿电压。