简介:
本发明属于产品的无损检测技术领域,涉及一种用于检测塑封电子元器件封装缺陷的塑封电子元器件X射线造影检测方法。本方法通过采用按照电子元器件结构特点所选用的新型造影剂和真空渗透技术,可以精确的测量样品的深度和宽度,提高了电子元器件封装缺陷分析的有效性,对于研究塑封电子元器件的缺陷扩展与失效机理,扩展塑封电子元器件的航空、航天应用,有着重要意义。
本发明属于产品的无损检测技术领域,涉及一种用于检测塑封电子元器件封装缺陷的塑封电子元器件X射线造影检测方法。本方法通过采用按照电子元器件结构特点所选用的新型造影剂和真空渗透技术,可以精确的测量样品的深度和宽度,提高了电子元器件封装缺陷分析的有效性,对于研究塑封电子元器件的缺陷扩展与失效机理,扩展塑封电子元器件的航空、航天应用,有着重要意义。