简介： 本发明涉及一种重掺杂p型SiC晶片缺陷的检测方法，属于晶体生长技术领域，当掺杂浓度低，晶片透明，采用光学显微镜等无损观察其缺陷；当掺杂浓度高时，晶片不透明，采用熔融状态下的KOH或NaOH或其他碱的熔融液，对p型SiC进行腐蚀，然后在显微镜下观察腐蚀坑，进而可以表征晶体缺陷。根据腐蚀坑的大小、深度、形状和密度可以判定晶体缺陷的种类以及晶体质量。本申请采用了光学无损检测和碱液熔融腐蚀相结合的方法分析p型SiC晶片的缺陷信息，最大程度降低了材料损失，并提高了分析效率。