简介： 一种半导体掺杂的扩散深度检测方法，方法包括：进行掺杂剂扩散，测得半导体光电探测器件的击穿电压；根据击穿电压计算掺杂剂的扩散深度并根据检测扩散深度对器件进行补扩散，以优化扩散工艺。检测方法无需完成所有芯片的流片工艺，无需划裂片至单个芯片器件，并且无需其他表征检测手段的破坏性制样，并且可以在完成掺杂剂扩散时对晶圆片上点进行大范围快速、无损性的测试与抽测，测试表征准确，高效、无损。基于该方法对扩散工艺进行优化以达到预期目标及后续流片工艺。