简介： 本发明属于光学元件制造技术领域，具体涉及一种基于惰性离子束刻蚀的氚污染光学膜无损去除方法。针对现有技术中使用酸刻蚀去除氚污染的光学膜的缺点，本发明的技术方案是：首先测定与待去膜光学元件同工艺的光学膜厚度；然后标定离子束对元件表面光学膜的刻蚀速率；最后采用能量为100eV～1500eV，束流为100mA～500mA，离子束入射角度为‑90°～90°的惰性离子束对元件表面的氚污染光学膜进行准确刻蚀去除。采用本发明方法，可有效地解决现有酸刻蚀技术去除氚污染光学膜的不足，同时保证光学基底的表面质量、光学性能及抗激光损伤能力不受影响。