简介： 本发明公开了一种基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，实施步骤包括：将单晶硅工件完全淹没放置在容器中的抛光液中并进行CCOS抛光加工，且在加工过程中检测并控制抛光液pH值；将单晶硅工件清洗去除大尺寸颗粒残留；采用离子束刻蚀工艺去除单晶硅工件表面的微小颗粒残留。本发明能够避免现有的单晶硅加工方法中引入大粒径污染、造成工件表面产生划痕的问题，加工出的工件表面污染低于检出限，具有可操作性强、原料来源广泛、工艺流程简单的优点。