简介： 本发明涉及一种p型掺杂6H‑碳化硅晶体的无损判定方法，使用变温拉曼光谱，对待测的p型掺杂6H‑SiC晶体样品进行光谱测量，探测光的入射方向为沿SiC晶片的（0001）方向，变温测量为室温到673K温度范围，温度间隔为50K。分析对比载流子敏感的A1纵向光学模，根据其强度及峰位的变化，可以判断样品是否为p型掺杂。有益效果是采用基于光谱分析法，对p型Al掺杂6H‑碳化硅晶体的载流子浓度进行检测和分析，无需像霍尔测量一样的镀电极，对待测样品无损伤，检测过程可实现自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。