简介： 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能隙的方法。本发明首先利用椭圆偏振技术得到薄膜的椭偏数据；然后根据所测薄膜的结构建立合适的理论模型，对得到的椭偏数据进行分析和拟合，得到所测石墨烯薄膜的厚度与能带结构。本发明大大简化了以往超薄薄膜厚度测试的复杂性、降低了利用其它技术工艺实施的困难程度，在22纳米后大规模集成电路制造中具有重要应用价值。