简介： 本发明公开了一种高深宽比微结构反射式干涉显微无损测量装置，解决了现有测试技术无法对硅基MEMS器件中高深宽比沟槽结构的深度和宽度进行无损测量的问题。本装置充分利用近红外光能够穿透硅基底的优势，可以用大数值孔径会聚光束进行测量；针对显微物镜会聚的大数值孔径光束被待测样品的沟槽结构调制降低光束聚焦性的问题，设置显微物镜出瞳像差监测光路和像差主动补偿系统，使得大数值孔径光束能够汇聚到沟槽底部；使用垂直扫描干涉法，得到待测样品沟槽结构的深度和宽度测量结果。本发明克服了现有测量技术无法实现硅基MEMS器件高深宽比沟槽结构无损测量的难点，能够对待测样品深沟槽结构的深度和宽度进行高精度无损测量。