简介： 本发明公开了一种模块内并联器件峰值芯片温度的无损测试方法，该方法通过构建特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇，实现对并联器件或模块的峰值结温测量。获得校温电流‑温度‑导通压降三维数据库，根据测试电流与并联器件数量，利用电流转换公式，得到特定测试电流下的基于电流占比的温度‑导通压降曲线簇；利用曲线簇和测量得到器件工作状态测试小电流对应的导通压降，得出不同测试电流下的电流占比‑温度曲线；最后，根据不同测试电流下电流占比‑温度曲线交点，确定并联器件或模块的峰值结温和电流占比。利用该方法，可在成熟小电流压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现模块内并联器件峰值芯片温度的无损测量。