简介： 一种采用变温PL谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法，其是通过分析半导体材料变温PL谱谱峰强度随温度升高而下降的热淬灭行为，计算获得半导体材料的杂质电离能，具体方法包括：步骤1：测量待测半导体材料的变温PL谱；步骤2：通过谱峰拟合，获得待测半导体材料在不同温度下的热淬灭峰谱峰强度；步骤3：拟合热淬灭峰谱峰强度‑温度关系实验数据，获得半导体材料杂质电离能，包括施主杂质电离能和受主杂质电离能；步骤4：重复步骤1‑3，多次测量待测半导体材料的杂质电离能，采用最小二乘法，计算多次测量后的杂质电离能。本发明是利用无损的光谱解析技术，克服了现有测试手段复杂有损的技术缺点，不仅快速简便、精度高，而且对于测试材料无损。