简介： 本发明涉及一种LED外延片的无损测试装置及测试方法，包括电流源及连接电流源的N极测试针、P极测试针，N极测试针、P极测试针的针头均包有焊锡、铟粒混合的铟锡方块，铟锡方块的高度h的取值范围为a≤h≤b，a是指LED外延片中N型GaN层下表面及其下面所有层的厚度和，b是指LED外延片中N型GaN层上表面及其下面所有层的厚度和。铟锡方块与现有的铟粒相比，硬度大，不易变形，导电性好；避免了每次测试时都要用新铟粒造成的材料浪费，同时，避免铟粒粘附在LED外延片表层造成的污染等问题。