简介： 本发明公开了一种高深宽比微结构透射式干涉显微无损测量装置及测量方法，利用近红外光能够穿透硅基底的优势，可以用大数值孔径光束进行测量；针对显微物镜会聚的大数值孔径光束被待测样品的沟槽结构调制降低光束聚焦性的问题，设置显微物镜出瞳像差监测光路和像差主动补偿系统；针对反射式结构中检测时像差过大的问题，采用透射式结构，像差减小，提高测量的精度。使用垂直扫描干涉法，得到待测样品的深度和宽度。本发明克服了现有测量技术对硅基MEMS器件高深宽比沟槽结构难以进行无损测量的难点，对待测样品深沟槽结构的深度和宽度进行高精度无损测量。