简介： 一种无损检验方法包括 : 第一步, 产生波长范围从 300nm到1200nm的激光, 并产生会聚到预定光束直径的激光束 第二步, 在生产过程期间, 预定电连接装置构成用于使在激光束 照射到包括晶片状态和安装状态的衬底中至少待检验的半导 体芯片中形成的p－n结和该p－n结附近时由OBIC现象产生 的OBIC(光束感应电流)电流通过的预定电流通路; 第三步, 在照 射激光束时扫描半导体芯片的预定区; 第四步, 磁通检测装置检 测在第三步骤中扫描的每个照射点由激光束产生的OBIC电流 感应的磁通; 第五步, 根据第四步中检测的所述磁通确定包括所 述半导体芯片的照射点的电流通路中是否存在包括断线缺陷 的电阻增加缺陷, 或包括短路缺陷的泄漏缺陷。