简介： 公开了一种无损检测半导体材料(2)的内部缺陷的设备和方法。半导体材料(2)具有长度(L)、横截面区(Q)以及与所述长度(L)对齐的侧面(5)。超声波设备(10)被分配到所述半导体材料(2)。此外,设置在所述超声波设备(10)和半导体材料(2)的侧面(5)之间产生沿着半导体材料(2)的侧面(5)的长度(L)的相对运动的机构(9)。