简介： 本发明提供了一种无损检测III-V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。对InP-GaAs直接键合结构减薄为100-250μm,进行红外吸收光谱特性的二维扫描探测发现,某些区域在波长3.51μm附近出现吸收峰,表明该区域出现了类似InAs微结构物质的中间层,而吸收谱上3.51μm附近不出现吸收峰的区域则不存在中间层,利用该波长位置是否出现吸收峰可区分键合较好与较差的界面结构区域;作出其吸收强度等值线图可得到整个键合界面质量均匀性的分布图,为键合装置及键合条件的改进提供了方向;此外,描绘其它吸收波段(1.0μm～4.0μm)如器件工作波长处的强度等值线图可以描述键合界面引起该波段光损耗的分布情况,从而为器件研制提供重要信息。