简介： 本发明公开了一种单晶硅位错密度的无损检测方法，设置仪器参数，对单晶硅片进行XRD测试；获得该单晶硅片的XRD衍射谱，经过拟合，由该衍射谱获得衍射峰的半高宽数据B；以相同的仪器测试参数对无位错标准硅样品进行XRD测试，获得标准硅样品的XRD衍射谱，经过拟合，获得仪器宽化δ；根据关系式计算单晶硅位错导致的物理宽化β；根据公式ρ=β2/(4.35b2)计算所测单晶硅的位错密度。该无损检测方法以XRD测试方法为基础、可对位错密度进行定量化测试表征的理论，实现单晶硅中位错密度的定量计算表征。操作简单，数据处理方便，结果可靠同时对待测样品无损。