简介:
本发明属于标记中子束无损检测技术领域,具体涉及一种用于标记中子束无损检测的移动式D‑T中子发生器,包括通过加速管(6)连接的高频离子源系统(5)和真空系统及测量单元(7),设置在真空系统及测量单元(7)上的关联束靶系统(8),由高频离子源系统(5)产生并引出的D+离子束通过加速管(6)加速后轰击关联束靶系统(8)中的氚靶(68),通过D‑T反应产生14MeV的中子,关联束靶系统(8)同时对中子的产生时间和位置的测量,实现对中子的出射时间和方向的标定;还包括控制高频离子源系统(5)和加速管(6)的控制系统。本发明是可适用于关联束中子照相应用的便携式D‑T中子发生器。
本发明属于标记中子束无损检测技术领域,具体涉及一种用于标记中子束无损检测的移动式D‑T中子发生器,包括通过加速管(6)连接的高频离子源系统(5)和真空系统及测量单元(7),设置在真空系统及测量单元(7)上的关联束靶系统(8),由高频离子源系统(5)产生并引出的D+离子束通过加速管(6)加速后轰击关联束靶系统(8)中的氚靶(68),通过D‑T反应产生14MeV的中子,关联束靶系统(8)同时对中子的产生时间和位置的测量,实现对中子的出射时间和方向的标定;还包括控制高频离子源系统(5)和加速管(6)的控制系统。本发明是可适用于关联束中子照相应用的便携式D‑T中子发生器。