简介:
本发明属于超大晶粒尺寸测量技术领域,具体涉及基于二维X射线检测技术的超大晶粒尺寸的无损检测方法。所述方法以二维X射线探测器技术为基础,针对超大晶粒材料进行衍射,对得到的衍射图像进行分析处理后得到衍射数据,再根据所述衍射数据绘制得到所述超大晶粒材料的晶粒图。本发明的检测方法区别于其他晶粒尺寸的计算,本发明是直接对样品的X射线衍射图像信息进行分析,得到的是材料一定精度下的真实晶界位置,区别于传统检测得到的平均晶粒尺寸,同时区别于谢乐公式仅适用于微米级以下晶粒尺寸的检测。
本发明属于超大晶粒尺寸测量技术领域,具体涉及基于二维X射线检测技术的超大晶粒尺寸的无损检测方法。所述方法以二维X射线探测器技术为基础,针对超大晶粒材料进行衍射,对得到的衍射图像进行分析处理后得到衍射数据,再根据所述衍射数据绘制得到所述超大晶粒材料的晶粒图。本发明的检测方法区别于其他晶粒尺寸的计算,本发明是直接对样品的X射线衍射图像信息进行分析,得到的是材料一定精度下的真实晶界位置,区别于传统检测得到的平均晶粒尺寸,同时区别于谢乐公式仅适用于微米级以下晶粒尺寸的检测。