制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法-通用技术-矿山技术-技术-北方有色网

简介： 制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法，采用二种不同晶型的工业TiO2，通过适当的配比合成主要成分SrTiO3，其原料组成及其含量为：1molSrCO3+(0.98～1.02)molTiO2+(0.2～0.45)％molNb2O5+(0.2～04.5)％molLa2O3，其中，TiO2为工业纯，由锐钛矿和金红石两种晶型组成，其配比范围是：锐钛矿∶金红石＝(0.3∶0.7)～(0.7∶0.3)；上述原料经充分混匀后于1150～1250℃下预烧，然后粉碎过筛并成型、烧成，再氧化处理。本发明具有良好的工艺稳定性、产品合格率高，并可优化产品性能。

制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法，采用二种不同晶型的工业TiO2，通过适当的配比合成主要成分SrTiO3，其原料组成及其含量为：1molSrCO3+(0.98～1.02)molTiO2+(0.2～0.45)％molNb2O5+(0.2～04.5)％molLa2O3，其中，TiO2为工业纯，由锐钛矿和金红石两种晶型组成，其配比范围是：锐钛矿∶金红石＝(0.3∶0.7)～(0.7∶0.3)；上述原料经充分混匀后于1150～1250℃下预烧，然后粉碎过筛并成型、烧成，再氧化处理。本发明具有良好的工艺稳定性、产品合格率高，并可优化产品性能。