简介:
本发明公开了一种低损耗锰钽矿结构微波介质陶瓷材料,合成物表达式为ZnTi1‑x(Al0.5Nb0.5)xNb2O8,其中x=0.05~0.20。先将ZnO、Al2O3、Nb2O5、TiO2按化学计量式进行配料,再经过球磨、烘干、过筛,于950℃煅烧,再经过造粒,压制成型为坯体,坯体于1100℃~1200℃烧结,制成低损耗锰钽矿结构微波介质陶瓷材料。本发明材料具有微波介电性能如下:介电常数εr为26.4~34.5,品质因数Q×f值为17551GHz~67167GHz,谐振频率温度系数τf为‑56.13~‑74.76ppm/℃。该材料制备方法简单,采用中温烧结,节约时间成本和能源成本,应用前景广泛。
本发明公开了一种低损耗
锰钽矿结构微波介质陶瓷材料,合成物表达式为ZnTi1‑x(Al0.5Nb0.5)xNb2O8,其中x=0.05~0.20。先将ZnO、Al2O3、Nb2O5、TiO2按化学计量式进行配料,再经过球磨、烘干、过筛,于950℃煅烧,再经过造粒,压制成型为坯体,坯体于1100℃~1200℃烧结,制成低损耗锰钽矿结构微波介质陶瓷材料。本发明材料具有微波介电性能如下:介电常数εr为26.4~34.5,品质因数Q×f值为17551GHz~67167GHz,谐振频率温度系数τf为‑56.13~‑74.76ppm/℃。该材料制备方法简单,采用中温烧结,节约时间成本和能源成本,应用前景广泛。