简介： 本发明公开了一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用。本发明提供的K₆NiW₅Mo₄O₃₁/WO₃半导体异质结，以K₆NiW₅Mo₄O₃₁为前驱体基底材料，K₆NiW₅Mo₄O₃₁与WO₃的摩尔比为100:(5～50)。本发明提供的半导体异质结光催化材料可采用高温固相法或化学溶液法合成，制备方法简单易行，材料的化学稳定性好，能有效吸收紫外‑可见光，并能在可见光下实现高效光催化活性。与单相前驱体基底材料K₆NiW₅Mo₄O₃₁相比，异质结复合而成的催化剂能更好地吸收可见光，有效地实现电子‑空穴的分离，提高催化效率，可用于对有机污染物的光催化降解，尤其是对有机染料工业废水的可见光催化降解处理。