简介： 本发明属于新能源技术领域，提供一种高比表面积的TiN电极、制备方法及其应用。主要是通过硅片制绒工艺对硅衬底表面进行粗糙化处理，在衬底材料表面形成由多个密排微米级金字塔组成的微观粗糙结构，使沉积在衬底上的TiN电极的比表面积增大，导致其电化学电容性能显著提高。这种高比表面积的TiN电极具有广阔的应用前景，例如，可用作微型超级电容器的电极材料。本发明能够保证其他工艺过程不变的条件下，克服了原来光滑电极电容性差、活性低等缺点，此制造技术与微电子工艺兼容，方法简便可行，成本低廉，且经济效益显著。