简介： 本发明是关于一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体，涉及电解铜箔制备技术领域。主要采用的技术方案为：一种纳米孪晶铜箔，在纳米孪晶铜箔的微观结构中：晶粒呈不规则形状，且晶粒的长轴和短轴的比值大于1、小于等于8；其中，纳米孪晶铜箔中的80％以上的晶粒内存在纳米孪晶片层，且所述纳米孪晶片层平行于所述晶粒的长轴方向；其中，纳米孪晶铜箔具有较弱的(200)织构。纳米孪晶铜箔的厚度为1‑12微米；单向拉伸测试表明，该纳米孪晶铜箔的抗拉强度范围为500‑800MPa，同时其延伸率均高于3％。除此之外，纳米孪晶结构铜箔还具有较高的稳定性、导电性及抗疲劳性能。因此，本发明的纳米孪晶铜箔在新能源电池和电子电路领域具有巨大的应用潜力。