简介： 本发明涉及一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法。首先用常规的溶液旋涂方法制备无机钙钛矿半导体多晶薄膜，然后用表面抛光的盖片与多晶薄膜表面紧密贴合，并用柔性耐高温薄膜包覆。接着，将样品放入充满液态传压传热介质的高压热压釜内，封釜后在热压釜上施加高压，并以设定的速度升温到设定值。恒温恒压处理一段时间后，使热压釜缓慢冷却到室温。卸去压力后，打开热压釜即可得到晶粒粒度大、结晶度高、晶界高度融合的高质量无机钙钛矿半导体单晶薄膜。本发明制备的无机钙钛矿单晶薄膜可用于研制高性能太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等，在新能源技术、显示设备制造以及自动控制等领域有重要的应用价值。