简介： 本发明公开了用于大功率瞬态抑制二极管的氮化铝基材及焊接方法，涉及半导体封装技术领域。本发明采用氮化铝基材作为导电框架，导电框架采用整面的氮化铝基材作为表面，进行镀铜工艺制成焊接硅片管脚Pad；氮化铝基材的连接方式使用金手指，氮化铝基材的上部框架的折弯高度为加载芯片高度加上锡膏厚度之和的1.2倍；氮化铝基材的正面覆铜。本发明减少了芯片热击穿失效的概率，大幅度解决了瞬变过程中的高di/dt瞬态产生的电磁干扰EMI问题，提高了芯片与基板之间的绝缘性；采用氮化铝材料具有与芯片衬底Si相匹配的膨胀系数，降低了产品因膨胀系数差异的失效，在5G基站、新能源、电动汽车等应用场景具有很好的市场前景。