简介： 本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓硫预制层，可以有效控制薄膜成分和生长情况，再通过硒化退火实现硒的并入，制得铜铟镓硫硒薄膜。这种反应溅射预制层后硒化的方法制备出的铜铟镓硫硒薄膜材料能够精确控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的分布，薄膜的致密度高，体积膨胀小，可有效地解决现有方法制备铜铟镓硫硒半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制、均匀性欠佳、表面缺陷较多及易产生不利杂相等问题，且该方法对设备的要求不高，易于实现产业化，在生产中可以大规模推广。